Aluminiumnitridbågformat keramiskt substrat-

Aluminiumnitrid bågformade -keramiska substrat är keramiska komponenter av precisionsaluminiumnitrid tillverkade av högpresterande aluminiumnitrid (AlN), en förening med det kemiska namnet aluminiumnitrid (AlN-förening, nitrid av aluminium). Denna avancerade aluminiumnitridkeramik (aluminiumnitridkeramik) bearbetas med hjälp av specifika formningstekniker för att uppnå en krökt struktur. De ärver de utmärkta egenskaperna hos AlN-material, medan deras unika design gör det möjligt för dem att uppfylla speciella krav inom optik, elektronisk förpackning eller strukturell integration. Dessa aluminiumnitridsubstrat (aluminiumnitridsubstrat) formas vanligtvis genom tejpgjutning, torrpressning eller isostatisk pressning, följt av precisionsslipning och polering för att uppnå önskad form. Utöver bågformade keramiska delar, används aluminiumnitrid också i stor utsträckning för att tillverka AlN-skivor, aluminiumnitridskivor (aluminiumnitridplattor, aluminiumnitridplåt), aluminiumnitridrör, AlN-deglar och aluminiumnitridvärmare (AlN-värmare), utställningsförmåga.

• Aluminiumnitridpulver med hög -renhet: med aluminiumnitridpulver med en renhet på över 99 % som basmaterial säkerställer en förfinad beredningsprocess substratmaterialets konsistens och stabilitet, och lägger en solid grund för produktens exceptionella prestanda från källan.
• Optimerad kristallstruktur: under sintringsstadiet tar en homogen och tjock kristallstruktur form, kännetecknad av små kristallkorn som är jämnt fördelade. En sådan förbättrad kristallstruktur ger substratet enastående mekanisk robusthet och termisk beständighet, vilket gör det möjligt för det att uthärda de termiska och mekaniska påfrestningar som uppstår från driften av elektroniska komponenter.

• Ultra-hög värmeledningsförmåga: AIN-bågformade-substrat har imponerande värmeledningsförmåga och når värden på 170-230 W/m·K, vilket vida överstiger de för traditionella keramiska aluminiumoxidsubstrat. I elektroniska enheter med höga krav på värmeavledning kan den höga värmeledningsförmågan hos aluminiumnitridbågformade keramiska substrat avsevärt förbättra värmeavledningseffektiviteten, vilket säkerställer att utrustningen bibehåller stabil prestanda även under långvarig drift med hög belastning.
• Bra elektrisk isolering: AIN-bågformade-keramiska substrat har utmärkt elektrisk isoleringsprestanda, med en resistivitet på upp till 10¹³-10¹⁴ Ω・cm, vilket effektivt isolerar strömmen mellan elektroniska komponenter och förhindrar kortslutningar. Även i högspännings- och högfrekventa arbetsmiljöer kan aluminiumnitridsubstrat bibehålla stabil isoleringsprestanda, vilket ger tillförlitligt skydd för säker drift av elektroniska enheter.
• Låg dielektricitetskonstant och låg förlustfaktor: Vid hög-signalöverföring uppvisar AIN-bågformade -substrat fördelarna med låg dielektricitetskonstant (vanligtvis mellan 8-10) och låg förlustfaktor. I hög-kommunikations- och detektionsenheter som 5G-kommunikationsbasstationer och radarsystem kan AIN-substrat säkerställa korrekt överföring och mottagning av högfrekventa signaler.
• Matchande termisk expansionskoefficient: Den termiska expansionskoefficienten är väl matchad med vanliga halvledarmaterial som kisel och galliumarsenid, cirka 4,5×10⁻⁶/grad. Denna egenskap gör det möjligt för aluminiumnitridbågformade keramiska substrat att effektivt minska termisk stress orsakad av temperaturförändringar i kombination med halvledarchipsförpackningar.
• Hög mekanisk hållfasthet: AlN-bågformat-keramiskt substrat har en hög mekanisk hållfasthet, med en böjhållfasthet på upp till 300-400 MPa, som kan motstå en viss grad av mekanisk påverkan och vibrationer. Under montering, transport och användning av elektroniska enheter kan den höga mekaniska styrkan hos AlN-keramiska substrat effektivt skydda elektroniska komponenter från yttre mekaniska krafter.

• Hög-LED-förpackning och belysning: Används i keramiska termiska skivor av aluminiumnitrid och böjda arrayer för optimal värmeavledning och ljusfördelning.
• Kraftelektronikmoduler: Fungerar som aluminiumnitridsubstrat för IGBT-, SiC- och GaN-enheter i moduler och AlN-kylflänsar.
• RF/mikrovågsenheter: Används som kretsbärare i konforma antenner och mikrovågskomponenter.
• Laser och optoelektronisk förpackning: Används vid förpackning av laserdioder, där AlN-keramiska substrat ger kritisk värmehantering.
• Halvledartillverkningsutrustning: Används som aluminiumnitridplattor, rör och anpassade aluminiumnitridkeramiska bärare i processkammare.
• Avancerade komponenter: Hittar även användning i specialiserade applikationer som mikroporösa keramiska sugkoppar (ofta gjorda av annan keramik) och olika ALN-strukturkomponenter.

Vi är en professionell tillverkare och leverantör av olika aluminiumnitridbågformade-keramiska substrat. Vi har en professionell AIN-bågformad-keramisk substratproduktionsfabrik och ett team. Dessutom är vi det största keramiska företaget, och vi har också ett företag i USA. Vi är specialiserade på AIN-bågformade-keramiska substrat. För att vara ärlig ger vi en ganska professionell och uppriktig service. Om du behöver något högkvalitativt aluminiumnitridbågformat-keramiskt substrat eller annan keramiktillverkare och långvarig-partner utomlands, är du välkommen att kontakta oss. Vi stöder alla anpassningar med{11}}svårigheter och vi kommer att göra vårt bästa för att möta dina behov.
Vår hemsida är https://www.ceramicstimes.com.Välkommen till ditt besök!

Populära Taggar: aluminiumnitridbågformade-keramiska substrat, aluminiumnitridbågformade-keramiska substrattillverkare, leverantörer, fabrik