I IGBT/SiC-kraftmoduler fyller det keramiska substratet som bär chipsen samtidigt flera roller, inklusive mekaniskt stöd, elektrisk sammankoppling och värmeavledning. På grund av sina betydande prestandafördelar ersätter AMB (Active Metal Brazing) keramiska substrat gradvis DBC (Direct Bonded Copper) keramiska substrat inom många hög-tillförlitliga applikationsområden, och blir ett kärnmaterial inom flyg, nya energifordon, industriella applikationer och andra sektorer, med lovande utvecklingsmöjligheter.
När krafthalvledare fortsätter att utvecklas mot högre effekttäthet och större tillförlitlighet, blir materialsystemet och gränssnittsstrukturen nyckelfaktorer som bestämmer de övre gränserna för prestanda och kostnadsgränserna. För SiC-enheter som arbetar under hög-spänning och höga-temperaturförhållanden lider konventionella Ag-Cu-Ti-baserade AMB-substrat av nackdelar som silvermigreringsfel och kostnadsvolatilitet. Under den långa-livslängden och höga-tillförlitlighetskraven för hög-enheter som används i 800V-bilplattformar för nya energifordon, järnvägstransitering och elnät, har balansering av kostnader och tillförlitlighet blivit en primär riktning för optimering bland stora tillverkare.
Den snabba utvecklingen av halvledar- och elektronisk informationsindustri har ställt högre prestandakrav på kärnmaterial. Som viktiga grundmaterial med multifunktionella kopplingsegenskaper-inklusive elektriska, magnetiska, termiska och mekaniska egenskaper-används elektronisk keramik i stor utsträckning i kärnkomponenter som kondensatorer, filter, sensorer och förpackningssubstrat. Bland dessa representerar keramiska substrat en viktig produktform av elektronisk keramik i krafthalvledarförpackningar, och deras värmeledningsförmåga, mekaniska styrka, tillförlitlighet och precision bestämmer direkt prestanda och livslängd för slutprodukter.